Главное меню
· Главная страница
· Новости предприятий
· Новости бизнеса
· Доска объявлений (30134)
· Отраслевой рубрикатор
·Алфавитный указатель
·Алфавитный указатель руководителей
·Поиск
 
Предложения
Добавить тендер
Добавить тендер
· Тендеры
· Добавить тендер
·Вакансии
Петербурга (108)
·Товары и услуги Петербурга (411)
·Инвестиционные предложения (5)
·Организации приобретут (0)
·Вход для зарегистрированных пользователей
 
Реклама
•••

•••
 
Сотрудничество
· Контакты
·Расценки
 
Полезные ссылки
Хочу похудеть без вреда для здоровья
 

  
  БИЗНЕС САНКТ - ПЕТЕРБУРГА 
Новости (0) Вакансии (0) Товары (0) Инвестиции (0) Заявки (0)Hosts:4986 Hits:5958

ГОСУДАРСТВЕННОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК


Физико- технический институт ведет свою историю от одноименного отдела Государственного рентгенологического и радиологического института, созданного в сентябре 1918 года по инициативе профессоров М. И. Неменова и А. Ф. Иоффе.


Академик Жорес Иванович Алфёров, директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе, вице-президент РАН и председатель президиума СПб научного центра РАН, депутат Государственной Думы РФ.
Родился 15 марта 1930 г. в г. Витебске. В 1952 г. окончил Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина). С 1953 г. работает в ФТИ, пройдя путь от младшего научного сотрудника до директора института (с 1987 г.).
В 1961 г. защитил кандидатскую, в 1970 г. - докторскую диссертации, в 1972 г. избран членом-корреспондентом , а в 1979 г. - действительным членом Академии наук СССР.
Ж. И. Алфёров - автор серии пионерских работ, заложивших основы и стимулировавших развитие физики полупроводниковых гетероструктур - принципиально нового направления физики полупроводников
Ж. И. Алфёров широко известен не только как ученый, но и как организатор академической науки и политический деятель.




Установка для выращивания низкоразмерных структур


Сферический токамак «Глобус-М»


Новое здание научно-образовательного центра ФТИ



 


Институт, образованный на базе отдела в 1921 году, на протяжении многих десятилетий возглавлял выдающийся ученый и организатор науки Абрам Федорович Иоффе. В 1938 году институт переводится в систему Академии наук, а в 1960 году имя первого руководителя института появляется в его названии.
Институт по праву считается колыбелью современной отечественной физики. Именно здесь в довоенные годы Н. Н. Семеновым были проведены исследования цепных реакций, удостоенные впоследствии Нобелевской премии. В институте работали выдающиеся физики: И. В. Курчатов, А. П. Александров, Ю. Б.Харитон и Б. П. Константинов (директор института с1957 по1967 г.), вклад которых в решение атомной проблемы в нашей стране невозможно переоценить. Здесь начинали свою научную деятельность талантливейшие экспериментаторы - нобелевский лауреат П. Л. Капица и Г. В. Курдюмов, физики-теоретики редчайшего дарования Г. А. Гамов, Я. Б. Зельдович и нобелевский лауреат Л. Д. Ландау. Название института всегда будет ассоциироваться с именами одного из основателей современной теории конденсированного состояния Я. И. Френкеля, блестящих экспериментаторов Е. Ф. Гросса и В. М. Тучкевича (директор института в 1967-1987 годах).
На базе лабораторий и филиалов ФТИ было создано 15 институтов, среди которых Институт атомной энергии, Институт химической физики, Уральский, Сибирский и Харьковский физико-технические институты, а также Ленинградский институт ядерной физики.
Исследования ученых Физтеха охватывают практически все состояния вещества и физические объекты от квантовых до космических масштабов. Без результатов, полученных сотрудниками института в физике конденсированного состояния, физике и технике полупроводников, квантовой электронике, атомной физике и физике атомного ядра, физике плазмы, управляемом термоядерном синтезе, астрофизике, масс-спектрометрии и физической газодинамике, нельзя представить себе современную физическую науку.
В соответствии с замыслом основателя института фундаментальные исследования всегда сочетались с поиском практических применений полученных результатов. Так, в довоенные годы в институте были созданы первые образцы электронных музыкальных инструментов, системы телевидения и телефонной связи, радиолокационные станции, заложены основы защиты кораблей от магнитных мин и торпед, а в последующие годы открыта и реализована в промышленных масштабах технология получения материала для «начинки» термоядерных бомб. Становление отечественной полупроводниковой промышленности тесно связано с созданием в институте первых германиевых транзисторов и мощных полупроводниковых вентилей.
Реорганизация института, начавшаяся в 1990-е годы, пошла по пути увеличения самостоятельности научных отделений, лабораторий и групп. Это дало возможность успешно продолжать исследования по тем направлениям, которые на протяжении последних десятилетий определяют лицо института. Мировому научному сообществу хорошо известны достижения института в теории полупроводников и оптической спектроскопии твердого тела, в разработке и исследовании полупроводниковых гетероструктур и силовой полупроводниковой электронике, в исследовании нейтронных звезд и космических гамма-всплесков и в изучении «поведения» фундаментальных констант, в развитии методов диагностики, нагрева и удержания высокотемпературной плазмы.
Институт состоит из шести крупных отделений и центров. К ним относятся: отделение физики плазмы, атомной физики и астрофизики; отделение физики твердого тела; отделение физики диэлектриков и полупроводников; отделение твердотельной электроники; центр физики наногетероструктур; научно-образовательный центр.
Среди более тысячи двухсот научных сотрудников института - пять академиков и десять членов-корреспондентов Российской академии наук, свыше двухсот докторов и шестисот кандидатов наук.
Институт традиционно уделяет особое внимание развитию собственной уникальной системы подготовки научных кадров, основы которой были заложены еще А. Ф. Иоффе. Законченный характер эта система стала приобретать в последние десятилетия - после создания на базе Физтеха: кафедры оптоэлектроники Электротехнического института в 1973 г., физико-технической средней школы в 1988 г., кафедры космических исследований Политехнического института в 1978 г., еще трех кафедр (твердотельной электроники, физики плазмы и физики твердого тела) этого же института в последующие годы и, наконец, их объединения во вновь созданный физико-технический факультет в 1988 году. Уже более десятка лет учебная и исследовательская деятельность этого факультета теснейшим образом связана с Физтехом. С сентября 1999 г. школа, кафедра оптоэлектроники и факультет начали функционировать «под одной крышей» - в новом здании Научно-образовательного центра института.
Помимо работ, предусмотренных планами Российской Академии наук, институт ведет исследования по ряду национальных программ, финансируемых из госбюджета через Министерство науки и технологий, Российское космическое агентство, Министерство атомной промышленности, в том числе по многим направлениям глобальной целевой программы федерального уровня «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники гражданского назначения».
Многие исследования финансируются на конкурсной основе через Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ). В 1999 году по проектам РФФИ в институте ведется около 150 работ.
Институт участвует в выполнении крупных международных проектов практически по всем направлениям своей деятельности и поддерживает тесные связи с крупнейшими исследовательскими центрами мира.
В феврале 1999 года произведен физический пуск сложнейшей экспериментальной установки - сферического токамака «Глобус-М». Это первая в России и одна из первых в мире установок, предназначенных для изучения свойств и параметров плазмы в сферической тороидальной камере с магнитной катушкой (токамаке). Сферический токамак считается в настоящее время одним из кандидатов на роль дешевого прототипа термоядерного реактора будущего. Эксперименты на установке «Глобус-М» должны подтвердить высокую устойчивость плазменного шнура в различных режимах работы, дать возможность опробовать новые методы нагрева плазмы и ее диагностики и, в конечном счете, заложить основу концепции будущего реактора.
Методами самоорганизации получен новый тип полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками (так называемыми искусственными атомами), на основе которых созданы инжекционные лазеры с длиной волны 1,3 мкм. Характеристики этих лазеров позволяют использовать их при создании нового поколения систем волоконно-оптических линий связи и обработки информации.
В XXI век институт вступает, сохранив свой научный потенциал и рейтинг одного из крупнейших исследовательских центров мира.


194021, Санкт-Петербург
ул. Политехническая, д. 26
Тел.: (812) 247-2245
Факс: (812) 247-1017
E-mail: post@pop.ioffe.rssi.ru
http://www.ioffe.rssi.ru/


Вакансии (0) Товары (0) Инвестиции (0) Заявки (0)
Полезные статьи



Copyright © 2002-2017
webmaster

  
Исследования
· Рубрикатор
·Поиск исследований
·Полезное об исследованиях
 
Поиск



Расширенный поиск
 
Полезные ссылки


 
Информация
Количество предприятий в базе на текущий момент:

Курсы других валют ЦБ РФ

Погода завтра
·Статистика
·Ссылки
 
Реклама
•••
Дизель-генераторы, щиты автоматического ввода резерва (ЩАВР)

Ремонт квартир в Санкт-Петербурге под ключ

 





Rambler's Top100 liveinternet.ru: показано число просмотров за 24 часа, посетителей за 24 часа и за сегодня
Рейтинг@Mail.ru