Установка для выращивания низкоразмерных структур
Сферический токамак «Глобус-М»
Новое здание научно-образовательного центра ФТИ
|
|
Институт, образованный на базе отдела в 1921 году, на протяжении многих десятилетий возглавлял выдающийся ученый и организатор науки Абрам Федорович Иоффе. В 1938 году институт переводится в систему Академии наук, а в 1960 году имя первого руководителя института появляется в его названии.
Институт по праву считается колыбелью современной отечественной физики. Именно здесь в довоенные годы Н. Н. Семеновым были проведены исследования цепных реакций, удостоенные впоследствии Нобелевской премии. В институте работали выдающиеся физики: И. В. Курчатов, А. П. Александров, Ю. Б.Харитон и Б. П. Константинов (директор института с1957 по1967 г.), вклад которых в решение атомной проблемы в нашей стране невозможно переоценить. Здесь начинали свою научную деятельность талантливейшие экспериментаторы - нобелевский лауреат П. Л. Капица и Г. В. Курдюмов, физики-теоретики редчайшего дарования Г. А. Гамов, Я. Б. Зельдович и нобелевский лауреат Л. Д. Ландау. Название института всегда будет ассоциироваться с именами одного из основателей современной теории конденсированного состояния Я. И. Френкеля, блестящих экспериментаторов Е. Ф. Гросса и В. М. Тучкевича (директор института в 1967-1987 годах).
На базе лабораторий и филиалов ФТИ было создано 15 институтов, среди которых Институт атомной энергии, Институт химической физики, Уральский, Сибирский и Харьковский физико-технические институты, а также Ленинградский институт ядерной физики.
Исследования ученых Физтеха охватывают практически все состояния вещества и физические объекты от квантовых до космических масштабов. Без результатов, полученных сотрудниками института в физике конденсированного состояния, физике и технике полупроводников, квантовой электронике, атомной физике и физике атомного ядра, физике плазмы, управляемом термоядерном синтезе, астрофизике, масс-спектрометрии и физической газодинамике, нельзя представить себе современную физическую науку.
В соответствии с замыслом основателя института фундаментальные исследования всегда сочетались с поиском практических применений полученных результатов. Так, в довоенные годы в институте были созданы первые образцы электронных музыкальных инструментов, системы телевидения и телефонной связи, радиолокационные станции, заложены основы защиты кораблей от магнитных мин и торпед, а в последующие годы открыта и реализована в промышленных масштабах технология получения материала для «начинки» термоядерных бомб. Становление отечественной полупроводниковой промышленности тесно связано с созданием в институте первых германиевых транзисторов и мощных полупроводниковых вентилей.
Реорганизация института, начавшаяся в 1990-е годы, пошла по пути увеличения самостоятельности научных отделений, лабораторий и групп. Это дало возможность успешно продолжать исследования по тем направлениям, которые на протяжении последних десятилетий определяют лицо института. Мировому научному сообществу хорошо известны достижения института в теории полупроводников и оптической спектроскопии твердого тела, в разработке и исследовании полупроводниковых гетероструктур и силовой полупроводниковой электронике, в исследовании нейтронных звезд и космических гамма-всплесков и в изучении «поведения» фундаментальных констант, в развитии методов диагностики, нагрева и удержания высокотемпературной плазмы.
Институт состоит из шести крупных отделений и центров. К ним относятся: отделение физики плазмы, атомной физики и астрофизики; отделение физики твердого тела; отделение физики диэлектриков и полупроводников; отделение твердотельной электроники; центр физики наногетероструктур; научно-образовательный центр.
Среди более тысячи двухсот научных сотрудников института - пять академиков и десять членов-корреспондентов Российской академии наук, свыше двухсот докторов и шестисот кандидатов наук.
Институт традиционно уделяет особое внимание развитию собственной уникальной системы подготовки научных кадров, основы которой были заложены еще А. Ф. Иоффе. Законченный характер эта система стала приобретать в последние десятилетия - после создания на базе Физтеха: кафедры оптоэлектроники Электротехнического института в 1973 г., физико-технической средней школы в 1988 г., кафедры космических исследований Политехнического института в 1978 г., еще трех кафедр (твердотельной электроники, физики плазмы и физики твердого тела) этого же института в последующие годы и, наконец, их объединения во вновь созданный физико-технический факультет в 1988 году. Уже более десятка лет учебная и исследовательская деятельность этого факультета теснейшим образом связана с Физтехом. С сентября 1999 г. школа, кафедра оптоэлектроники и факультет начали функционировать «под одной крышей» - в новом здании Научно-образовательного центра института.
Помимо работ, предусмотренных планами Российской Академии наук, институт ведет исследования по ряду национальных программ, финансируемых из госбюджета через Министерство науки и технологий, Российское космическое агентство, Министерство атомной промышленности, в том числе по многим направлениям глобальной целевой программы федерального уровня «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники гражданского назначения».
Многие исследования финансируются на конкурсной основе через Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ). В 1999 году по проектам РФФИ в институте ведется около 150 работ.
Институт участвует в выполнении крупных международных проектов практически по всем направлениям своей деятельности и поддерживает тесные связи с крупнейшими исследовательскими центрами мира.
В феврале 1999 года произведен физический пуск сложнейшей экспериментальной установки - сферического токамака «Глобус-М». Это первая в России и одна из первых в мире установок, предназначенных для изучения свойств и параметров плазмы в сферической тороидальной камере с магнитной катушкой (токамаке). Сферический токамак считается в настоящее время одним из кандидатов на роль дешевого прототипа термоядерного реактора будущего. Эксперименты на установке «Глобус-М» должны подтвердить высокую устойчивость плазменного шнура в различных режимах работы, дать возможность опробовать новые методы нагрева плазмы и ее диагностики и, в конечном счете, заложить основу концепции будущего реактора.
Методами самоорганизации получен новый тип полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками (так называемыми искусственными атомами), на основе которых созданы инжекционные лазеры с длиной волны 1,3 мкм. Характеристики этих лазеров позволяют использовать их при создании нового поколения систем волоконно-оптических линий связи и обработки информации.
В XXI век институт вступает, сохранив свой научный потенциал и рейтинг одного из крупнейших исследовательских центров мира.
|
)